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Vion Plasma FIB 儀器

價  格：詢價

產(chǎn)  地：美國更新時間：2020-11-25 14:52

品  牌：FEI型  號：Vion Plasma

狀  態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2998

400-006-7520
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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

聯(lián) 系 人： 上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

電   話： 400-006-7520

傳   真： 400-006-7520

配送方式： 上海自提或三方快遞

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Vion PFIB 是***款具有高精度、高速度切割和銑蝕能力的儀器。 其具有選擇性銑蝕所關(guān)注區(qū)域的能力。 此外，PFIB 可以選擇性沉積帶圖案的導(dǎo)體和絕緣體。 高速銑蝕和精密控制的結(jié)合可確保該系統(tǒng)以多種方法應(yīng)用于集成電路的制造，如：


凸起物、焊線、TSV 和晶片堆疊失效分析

手術(shù)刀般移除封裝和材料，實(shí)現(xiàn)嵌入芯片塊的失效分析和故障隔離

適用于封裝***流程監(jiān)控和開發(fā)

封裝部件和 MEMS 設(shè)備的缺陷分析

> 下載 Vion 等離子 FIB 數(shù)據(jù)表

借助較傳統(tǒng)鎵離子 FIB 快 20 倍的銑蝕速度提高生產(chǎn)效率

? 快速精確的橫截面操作可揭示缺陷和表面下方特征

? 銑蝕和成像射束電流變化范圍寬廣（從數(shù) pA 至 1 μA 以上）

? 使用沉積化學(xué)來保護(hù)表面特征

? 可選的電荷中和器功能可實(shí)現(xiàn)對帶電結(jié)構(gòu)進(jìn)行切片

? 可選的背面硅使用、專利同軸氣體輸送噴嘴

? 通用硬件和軟件架構(gòu)以及其他 FEI FIB、SEM 和 DualBeam 儀器



產(chǎn)品參數(shù)


Vion 等離子聚焦離子束 
離子源Xe+ 電感耦合等離子 (ICP)
加速 電壓2 - 30 kV
束電流1.5 pA - 1.3 μA
圖像分辨率< 30 nm
樣品臺5 軸電動同心
X、Y 移動 150 mm
傾角 -10° - 60°
360° 旋轉(zhuǎn)
操作系統(tǒng)基于 Windows?



產(chǎn)品介紹



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