CY670B-CY_CY670A-ET_CY670B-ET_CY670D-ET_CY670B-MT_CY670D-BO溫度傳感器OMEGA
規(guī)格
標(biāo)準(zhǔn)曲線:曲線cy670,見下頁(yè)圖表
推薦勵(lì)磁:10μA,±0.1%
最大反向電壓:60V
損壞前的最大電流:1 mA,連續(xù)或100 mA,脈沖
推薦激勵(lì)下的耗散:16微W@4.2 K;10微W@77 K;5微W@300 K
熱響應(yīng)時(shí)間:SD模型:典型<10 ms@4.2 K,100 ms@77 K,200 ms@305 K
BR型號(hào):1 ms@4.2 K,13 ms@77 K,20 ms@305 K
用于輻射:建議僅用于低水平輻射
磁場(chǎng)使用:不建議用于低于60 K的磁場(chǎng)應(yīng)用;在高于60 K的5特斯拉磁場(chǎng)中使用時(shí),磁場(chǎng)依賴性較低。
再現(xiàn)性(*):±10 mk@4.2 K
(*)通過使傳感器經(jīng)受305至4.2 K的重復(fù)熱沖擊,獲得短期再現(xiàn)性數(shù)據(jù)。