INFICON IC/5 石英晶體膜厚控制儀
價 格：詢價
產 地：美國更新時間：2020-10-29 13:56
品 牌：Inficon型 號：IC/5
狀 態(tài)：正常點擊量：2816
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全面的過程控制
IC/5具有寬廣的功能，它可啟動抽空過程、控制閥門、啟用基片加熱器等。這些增強的功能使系統(tǒng)無需配備輔助儀器，從而降低系統(tǒng)的復雜性和成本。IC/5的邏輯與控制功能包含100個可編程的邏輯狀態(tài)；I/O和TTL繼電器電路板提供多至24個繼電器輸出，28個TTL輸入，14個TTL輸出，20個計數(shù)和20個計時。邏輯狀態(tài)可與外輸入或輸出聯(lián)用。每個狀態(tài)可包含多至5個功能，并用布爾邏輯鏈接。IC/5可為源控制或圖形記錄儀輸出提供6個可賦值的模擬輸出、沉積速率、膜厚或沉積速率的偏離。
強力的過程處方和數(shù)據(jù)管理
IC/5膜層控制儀提供若干功能和選件，幫助用戶高效地管理過程處方和數(shù)據(jù)：
豐富的機載儲存 – 多至50個過程和250個膜層。允許即時進入您使用的過程數(shù)據(jù)和處方文件。這個進入性對包含許多膜層的復雜過程，對運行于多種工藝過程的鍍膜系統(tǒng)，以及對研制或工藝發(fā)展等應用尤其有價值。
磁盤驅動選件 – 用于無限制地儲存過程數(shù)據(jù)和處方。離線編輯軟件選件 – 用于在計算機（不是IC/5面板）上，鍵入或輸入數(shù)據(jù)。用這個軟件編程更為方便與有效，尤其對多層膜和多材料過程。數(shù)據(jù)記錄 – 有關的過程信息（***終膜厚，平均沉積速率，運行次數(shù)，膜層數(shù)等）可用ASCII格式自動記錄入遙控通訊端口、打印機端口或磁盤中。采用磁盤驅動選件，IC/5可將數(shù)據(jù)保存于展開的格式中，使過程的數(shù)據(jù)儲存與處理簡易化。數(shù)據(jù)記錄可方便地進行運行后分析與快速的校正作用。對于遵循ISO9000或QA認證的生產，過程跟蹤是必不可少的。
Auto Z – 用于多層材料的精密鍍膜
IC/5自動確定Z比值的Auto Z技術，提高了鍍層膜厚與沉積速率的控制精度，用戶不再需要計算聲阻（Z）比值3。當在晶體上沉積多種材料時，比值Z隨材料在晶體上的比例而變化，因此，Z值的變化是動態(tài)的。Auto Z連續(xù)修正過程進行中的Z比值。在單***晶體上沉積分層的或合金材料的過程中，為保持精確的膜層厚度和沉積速率，這個功能是尤其重要的。
產品參數(shù)
INFICON石英晶體膜厚控制儀
產品型號: IC/5
多用途的IC/5理想地適用于控制多源、多坩堝、多材料或多過程系統(tǒng)的膜層沉積速率和膜厚。IC/5可滿足即使最復雜、最高要求與特殊應用的需要。它擅長于過程控制、邏輯功能、程序和膜層儲存容量、過程數(shù)據(jù)管理，尤其是沉積速率與膜厚的控制。
IC/5產品詳細資料：
主要性能參數(shù)
1.頻率分辨率：在6.0 MHz時0.03 Hz
2.質量分辨率：0.375 ng／cm2
3.感應晶片頻率：2.5， 3， 5， 6， 9.5， 10 MHz
4.膜厚顯示：0.000～ 999.9 K＆Aring；
5.成膜速率：00.0～999 Ang／sec?。?～9.99μm／min）
6.膜層數(shù)量：1～999
7.圖形顯示：256×64 LCD ，CCFL背景照明
全套配置
1.MDC360C主機 一臺、振蕩器及電纜線 一套、探頭 一個、晶片 5片
2.主機尺寸：16.98×3.47×9.355（單位：英寸）
3.前面板寬度18.98英寸
產品介紹
In/MgF2鍍膜的AUTO Z精度
AUTO Z大大地提高了多層材料和膜層測量的膜厚精度。
AUTO TUNE – 用于快速設置
IC/5的Auto Tune功能免除了反復試探的步驟，節(jié)省了設置時間，它可快速地自動確定源的反饋控制閉環(huán)常數(shù)。Auto Tune選擇若干控制算法中的***佳算法 – 包括三參數(shù)PID（正比，積分，微分）算法 – 達到對各種各樣源的平穩(wěn)控制。多傳感件測量 – 用于高重復性對某些光學鍍膜和其它應用，重復性與均勻度是尤其重要的。IC/5控制儀可集成多至8個傳感件的測量，將源的不均勻分布效應降至***小，并確保上***次與下***次鍍膜運行之間的膜層沉積速率和***終膜厚良好的***致性。當基片在行星基片架上旋轉時，IC/5從各個傳感件的位置上同時收集數(shù)據(jù)，確保取得的信息代表當前源的分布。與單個傳感件的控制儀比較，多傳感件測量由于控制膜層的固定總合沉積速率、與源分布中的波動無關，大大地改善了膜厚的重復性。當源的分布模式改變時，IC/5適當?shù)卣{整功率。盡管任何***個傳感件上的沉積速率可有相當大的變化而總的沉積速率保持不變。沉積于每個基片上的材料總量受到精確的控制；總的膜厚精度與單個傳感件的控制儀相比可提高兩至三倍。由于準確地探測源的耗損導致的特性變化，多傳感件測量可幫助您
IC/5控制兩種材料的同時鍍膜。它包含***個編程的比值參數(shù)，在變化的沉積速率中控制合金的比率，還有***個交叉靈敏度（或串適）參數(shù)，自動補償來自***個源的材料鍍覆至用于控制另***個源的傳感件上。Auto Z功能還對IC/5的共沉積有貢獻，當不同材料混合在***個晶體上時保持膜厚的精度。容易裝入現(xiàn)有的裝置中
IC/5備有適配電纜，易于安裝至現(xiàn)有的裝置中，更換老的INFICON或其它制造廠的膜層控制儀。詳細請與我們技術支持部門聯(lián)系。
滬公網安備31011502016460號
