蔡司超高分辨率場發(fā)射掃描電鏡GeminiSEM 300/VP
價 格:詢價
產(chǎn) 地:更新時間:2021-01-18 15:21
品 牌:型 號:GeminiSEM 300/VP
狀 態(tài):正常點擊量:2406
400-006-7520
聯(lián)系我時,請說明是在上海非利加實業(yè)有限公司上看到的,謝謝!
聯(lián) 系 人:
上海非利加實業(yè)有限公司
電 話:
400-006-7520
傳 真:
400-006-7520
配送方式:
上海自提或三方快遞
聯(lián)系我時請說在上海非利加實業(yè)有限公司上看到的,謝謝!
詳細描述:
品牌:卡爾?蔡司 | 型號:GeminiSEM 300/VP |
制造商:德***卡爾蔡司公司 | 經(jīng)銷商:歐波同有限公司 |
【品牌故事】 世界光學(xué)品牌,可見光及電子光學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)----德***蔡司公司始創(chuàng)于1846年。其電子光學(xué)前身為LEO(里奧),更早叫Cambridge(劍橋),積掃描電鏡領(lǐng)域40多年及透射電鏡領(lǐng)域60年的經(jīng)驗,ZEISS電子束技術(shù)在世界上創(chuàng)造了數(shù)個: 臺靜電式透射電鏡 (1949) 臺商業(yè)化掃描電鏡 (1965) 臺數(shù)字化掃描電鏡(1985) 臺場發(fā)射掃描電鏡(1990) 臺帶有成像濾波器的透射電鏡 (1992) 臺具有Koehler照明的 200kV 場發(fā)射透射電鏡(2003) 臺具有鏡筒內(nèi)校正Omega能量濾波器的場發(fā)射透射電鏡(2003) CARL ZEISS以其前瞻性至臻完美的設(shè)計融合歐洲至上制造工藝造就了該品牌在光電子領(lǐng)域無可撼動的***地位。自成立至今,***直延續(xù)不斷創(chuàng)新的傳統(tǒng),公司擁有電鏡制造*核心 的專有技術(shù),隨著離子束技術(shù)和基于電子束的分析技術(shù)的加入、是全球為您提供鎢燈絲掃描電鏡、場發(fā)射掃描電鏡、雙束顯微鏡(FIB and SEM)、透射電子顯微鏡等全系列解決方案的電鏡制造企業(yè)。其產(chǎn)品的高性能、高質(zhì)量、高可靠性和穩(wěn)定性已得到全世界廣大用戶的信賴與認(rèn)可。作為全球電鏡標(biāo)準(zhǔn)***的CARL ZEISS將***路領(lǐng)跑高端電鏡市場為您開創(chuàng)探求納米科技的嶄新紀(jì)元。 |
【總體描述】 二十多年來,基于日漸完善的Gemini技術(shù),GeminiSEM具有完整高效的檢測系統(tǒng)、極高的分辨率以及簡便的操作方式。Gemini物鏡設(shè)計將靜電場與磁場結(jié)合,可在限度地提升光學(xué)性能的同時將場發(fā)射對樣品的損傷降至。此設(shè)計確保了極佳的成像質(zhì)量,即使是較具挑戰(zhàn)性的磁性材料也同樣可以達到良好的成像效果。通過二次電子和背散射電子的檢測也使得高效率的信號探測成為可能。探測器安裝在光軸上,可以減少調(diào)整時間,并可限度地降低成像時間。Gemini電子束加速器技術(shù)確保了小的探針尺寸和高的信噪比,以達到超低的加速電壓。 |
【技術(shù)參數(shù)】 分辨率: 0.8nm @15 kV 1.4 nm @1kV 放大倍數(shù):12-2,000,000× 加速電壓:調(diào)整范圍:0.02-30 kV(無需減速模式實現(xiàn)) 探針電流: 3pA-20nA(100nA可選) 低真空范圍: 10-500Pa (GeminiSEM300 VP可用) 樣品室: 330 mm(φ),270 mm(h) 樣品臺:5軸優(yōu)中心全自動 X=130mm Y=130mm Z=50 mm T=-3o-70o R=360o 連續(xù) 系統(tǒng)控制:基于Windows 7的SmartSEM操作系統(tǒng),可選鼠標(biāo)、鍵盤、控制面板控制 |
【產(chǎn)品應(yīng)用】 掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等 檢驗和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進行材料的微觀形貌、組織、成分分析,各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分 析和失效分析,材料實時微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測量,晶體、晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶 粒取向測量。 |