蔡司鎢燈絲掃描電鏡ZEISS EVO MA 10/LS 10
價(jià) 格:詢價(jià)
產(chǎn) 地:更新時(shí)間:2021-01-18 15:22
品 牌:型 號(hào):EVO MA 10/LS 10
狀 態(tài):正常點(diǎn)擊量:2880
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詳細(xì)描述:
品牌:卡爾?蔡司 | 型號(hào):EVO MA 10/LS 10
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制造商:德***卡爾蔡司公司 | 經(jīng)銷商:歐波同有限公司 |
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【品牌故事】 世界光學(xué)品牌,可見光及電子光學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)----德***蔡司公司始創(chuàng)于1846年。其電子光學(xué)前身為LEO(里奧),更早叫Cambridge(劍橋),積掃描電鏡領(lǐng)域40多年及透射電鏡領(lǐng)域60年的經(jīng)驗(yàn),ZEISS電子束技術(shù)在世界上創(chuàng)造了數(shù)個(gè): 臺(tái)靜電式透射電鏡 (1949) 臺(tái)商業(yè)化掃描電鏡 (1965) 臺(tái)數(shù)字化掃描電鏡(1985) 臺(tái)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(1990) 臺(tái)帶有成像濾波器的透射電鏡 (1992) 臺(tái)具有Koehler照明的 200kV 場(chǎng)發(fā)射透射電鏡(2003) 臺(tái)具有鏡筒內(nèi)校正Omega能量濾波器的場(chǎng)發(fā)射透射電鏡(2003) CARL ZEISS以 其前瞻性至臻完美的設(shè)計(jì)融合歐洲至上制造工藝造就了該品牌在光電子領(lǐng)域無(wú)可撼動(dòng)的***地位。自成立至今,***直延續(xù)不斷創(chuàng)新的傳統(tǒng),公司擁有電鏡制造*核心 的專有技術(shù),隨著離子束技術(shù)和基于電子束的分析技術(shù)的加入、是全球?yàn)槟峁╂u燈絲掃描電鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、雙束顯微鏡(FIB and SEM)、透射電子顯微鏡等全系列解決方案的電鏡制造企業(yè)。其產(chǎn)品的高性能、高質(zhì)量、高可靠性和穩(wěn)定性已得到全世界廣大用戶的信賴與認(rèn)可。作為全球電鏡標(biāo)準(zhǔn)***的CARL ZEISS將***路領(lǐng)跑高端電鏡市場(chǎng)為您開創(chuàng)探求納米科技的嶄新紀(jì)元。 |
【總體描述】 EVO系列電鏡是高性能、功能強(qiáng)大的高分辨應(yīng)用型掃描電子顯微鏡。MA 10用于材料領(lǐng)域,LS 10用于生命科學(xué)領(lǐng)域。該系列電鏡采用多接口的大樣品室和藝術(shù)***的物鏡設(shè)計(jì),提供高低真空成像功能,可對(duì)各種材料表面作分析,并且具有業(yè)界的X射線分析技術(shù)。Beamsleeve的設(shè)計(jì),確保在低電壓條件下提供高分辨率的銳利圖像,同時(shí)還可以進(jìn)行準(zhǔn)確的能譜分析。樣品臺(tái)為五軸全自動(dòng)控制。標(biāo)準(zhǔn)的高效率無(wú)油渦輪分子泵能夠滿足快速的樣品更換和無(wú)污染(免維護(hù))成像分析。 |
【技術(shù)參數(shù)】 分辨率: 3.0nm@ 30KV(SE and W) 4.0nm@ 30KV(VP with BSD) 加速電壓:0.2―30KV 放大倍數(shù):7―1000000x 探針電流:0.5PA-5μA X-射線分析工作距離:8.5mm 35度接收角 低真空壓力范圍:10―400Pa (LS10:10-3000Pa) 工作室:310mm(φ)×220mm(h) 5軸優(yōu)中心自動(dòng)樣品臺(tái):X=80mm Y=100mm Z=35mm T=-10°- 90°R=360°
試樣高度:100mm,試樣直徑:200mm 系統(tǒng)控制:基于Windows 7 的SmartSEM操作系統(tǒng) 存儲(chǔ)分辨率為32,000 x 24,000 pixels |
【產(chǎn)品應(yīng)用】 掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等 檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析,各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分 析和失效分析,材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測(cè)量,晶體、晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶 粒取向測(cè)量。 |