臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：更新時(shí)間：2021-01-19 15:36
品 牌：型 號(hào)：美Arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
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| 美Arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
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| 詳細(xì)介紹 |
| 原子層沉積（Atomic layer deposition, ALD）是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的***種方法，是***種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此，它是***種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米***的超薄薄膜沉積。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。 | | 
| 美***Arradiance 公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可*多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%，而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500：1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。 | | GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn)： * 300℃ 鋁合金熱壁，對(duì)流式溫度控制 * 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶，200℃溫控輸運(yùn)支管 * 可容納多片4，6，8英寸樣品同時(shí)沉積 * 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體 * 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口 * 可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件 * 等離子體輔助ALD插件 * 多種配件可供選擇 | GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào)： GEMStar XT： * 8英寸/200 mm基片沉積（4＇和6＇ 可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶接口 * 不可升***為等離子體增強(qiáng)ALD GEMStar XT-R： * 8英寸(200mm)基片沉積（4＇和6＇ 可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口 * 可升***為等離子體增強(qiáng)ALD | |  | GEMStar XT-P： * 8英寸/200mm基片沉積（4＇和6 ＇可選） * 單/雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4/8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口 * 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器 13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風(fēng)冷，運(yùn)行功率達(dá)300W。 * 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)（MFC）控制的等離子氣源線(xiàn)，和***條MFC控制的運(yùn)載氣體線(xiàn)，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。 | | | | | 新產(chǎn)品發(fā)布： | GEMStar NanoCUBE： * 100 mm 立方體樣品 沉積 * 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 2路前驅(qū)體瓶接口 * 主要用于3D多孔材料，以及厚樣品的沉積 | | 豐富配件： | | | 多樣品托盤(pán)： * 多樣品夾具，樣品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。 * 多基片夾具，*多同時(shí)容納9片基片。 
| 溫控?zé)?/span>托盤(pán)： * 可加熱樣品托盤(pán)，溫度500℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤(pán)-熱壁復(fù)合加熱方式。 
| | 粉末沉積盤(pán)： 
| 臭氧發(fā)生器： 
| | | 晶振測(cè)厚儀 | | | 前驅(qū)體加熱套 | | 粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊： 配合熱壁加熱方式，進(jìn)***步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。  
| | 手套箱接口： 可從側(cè)面或背面完美接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面，反應(yīng)過(guò)程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng)，不影響手套箱內(nèi)溫度。 | | | | | 
| | | | | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
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