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透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口

產(chǎn)品概述：

    與X射線用氮化硅窗口類似，透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗口也采用低應(yīng)力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小，適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規(guī)格。同時RISUN也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

RISUN透射電鏡（TEM）用氮化硅薄膜窗產(chǎn)品規(guī)格如下：

單窗口系列:

• 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：0.5 mm，薄膜厚度：30 nm)

• 3 mm x 3 mm (窗口尺寸：1.0 mm，薄膜厚度：50 nm)

2窗口系列：3mm（窗口尺寸：100x1500微米，薄膜厚度：20nm、40nm）

9窗口系列：3mm（窗口尺寸：100x100微米,100x350 微米，薄膜厚度：20nm、40nm）

邊框厚度： 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度： 9-15nm、50nm、100nm 

本產(chǎn)品為***次性產(chǎn)品，RISUN不建議用戶重復使用；本產(chǎn)品不能進行超聲清洗，適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。 

技術(shù)指標：

表面平整度：薄膜與其下的硅片同樣平整，RISUN提供的TEM用氮化硅薄膜窗口的表面粗糙度為：0.6-2nm，完全適用于TEM表征。

親水性：該窗格呈疏水性，如果樣品取自水懸浮液，懸浮微粒則不能均勻地分布在薄膜上。用等離子蝕刻機對薄膜進行親水處理，可暫時獲得親水效果。雖然沒有對其使用壽命進行過測試，但預期可以獲得與同樣處理的鍍碳TEM網(wǎng)格相當?shù)膲勖?。我們可以生產(chǎn)此種蝕刻窗格，但無法保證其使用壽命。如果實驗室有蝕刻工具也可對其進行相應(yīng)的處理提高其親水性能。

溫度特性：RISUN提供的氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是耐高溫產(chǎn)品，能夠承受1000度高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。

化學特性：RISUN提供的氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。

應(yīng)用簡介和優(yōu)點：

1、適合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的對同***區(qū)域的交叉配對表征。

2、大窗口尺寸，適合TEM大角度轉(zhuǎn)動觀察。

3、無碳、無雜質(zhì)的清潔TEM觀測平臺。

4、背景氮化硅無定形、無特征。

5、耐高溫、惰性襯底，適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導體材料、光學晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境，（薄膜直接沉積在窗口上）。

6、生物和濕細胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。

7、耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。

8、適合做為膠體、氣凝膠、有機材料和納米顆粒等的表征實驗承載體。