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氫  火 焰FID

Mt ＜5×10-12g/s(正十六烷)

＜0.2mv/h

＞106

熱 導(dǎo) 池TCD

S＞10000mv.ml/mg(正十六烷)

＜20uv

＞104

電子捕獲ECD

Mt ＜ 1 ×10-13g/ml（r-666）

＜15uv

＞106

火焰光度FPD

Mt＜2×10-11g/s（噻吩中的S）
Mt＜1×10-11g/s（甲基對硫磷中的P）

＜滿刻度3%

＞103

體積(L)

14.2

溫度范圍

室溫+10°C至400°C

溫度精確度

± 1%（K）（標度可讀取0.01°C）

溫度穩(wěn)定性

在± 0.1°C 之內(nèi)

溫度系數(shù)

0.01°C/°C

程序階數(shù)

總共可設(shè)置24階程序（加熱和冷卻）

溫度設(shè)置

以0.1°C 增加

所有程序總時間

最大999.9 × 24 min

線性溫度增加范圍

(環(huán)境溫度25°C時)

65°C/min 至150°C

50°C/min 至250°C

45°C/min 至380°C

6°C/min 至400°C

冷卻速率(環(huán)境溫度25°C時)

要從300°C冷卻至50°C并穩(wěn)定，大約8 min。

保護溫度

最高使用溫度420°C

溫度設(shè)置

以0.1°C 增加

過熱保護

最高420°C

進樣裝置

分流/不分流進樣，填充柱進樣（直接）。

溫度范圍

最高可設(shè)置溫度400°C，以0.1°C 增加。

過熱保護

最高使用溫度420°C

檢測限

≤2×10－11 g/s  (正十六烷/異辛烷)

線性范圍

≥106

噴嘴材料

石英（或陶瓷）

基線噪聲

≤3×10-14 A

基線漂移

≤2×10-13 A

熱導(dǎo)池檢測器（TCD）

溫度范圍

最高可設(shè)置溫度400°C，0.1°C 增加。

過熱保護

最高使用溫度420°C

半擴散池

帶有差動放大的4臂半擴散池（×1 ×2 ×4 ×8）

電源

恒流源

靈敏度

≥6000 mV·mL/mg (苯/甲苯)

線性范圍

≥104

基線噪聲

≤0.03 mV

基線漂移

≤0.1 mV

重量

大約50 kg

電源

220 VAC/50HZ

功率

2400 VA (D-INJ+SPL+TCD+S-FID)

環(huán)境溫度

5℃～35℃

相對濕度

不大于85%

環(huán)境要求

周圍無強電磁場干擾，無腐蝕性氣體和無強烈振動

接地要求

儀器可靠接地

氫焰檢測器（FID）

1

套

N2000系統(tǒng)

1

套

氫氣發(fā)生器

1

臺

空氣發(fā)生器

1

臺

色譜柱

1

根

附件包（內(nèi)含PU管、必備工具等）

1

臺