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美國Neocera PLD脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)

價(jià)  格:詢價(jià)

產(chǎn)  地:美國更新時(shí)間:2020-10-29 14:09

品  牌:Neocera型  號(hào):美國Neocera PLD脈沖激光沉積鍍膜系統(tǒng)

狀  態(tài):正常點(diǎn)擊量:2045

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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

聯(lián) 系 人: 上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

電   話: 400-006-7520

傳   真: 400-006-7520

配送方式: 上海自提或三方快遞

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***種用途廣泛的、用于薄膜沉積和合成納米結(jié)構(gòu)和納米粒子的方法。

PLD是***種復(fù)雜材料沉積的創(chuàng)新方法

激光脈沖鍍膜(PLD)是***種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。PLD的獨(dú)特之處是能量源(脈沖激光)位于真空室的外面。這樣,在材料合成時(shí),工作壓力的動(dòng)態(tài)范圍很寬,達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成***系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。另外,PLD是***種“數(shù)字”技術(shù),在納米尺度上進(jìn)行工藝控制(A°/pulse)。

Neocera Pioneer系列 PLD系統(tǒng)-— 基于卓越經(jīng)驗(yàn)的有效設(shè)計(jì)

Neocera利用PLD開展了深入廣泛的研究,建立了獲得***佳薄膜質(zhì)量的臨界參數(shù),特別適用于沉積復(fù)雜氧化物薄膜。這些思考已經(jīng)應(yīng)用于Pioneer系統(tǒng)的設(shè)計(jì)之中。

很多復(fù)雜氧化物薄膜在相對(duì)高的氧氣壓力(>100 Torr)下冷卻是有利的。所有Pioneer系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工作壓力范圍從它們的額定初始?jí)毫Φ酱髿鈮毫Α_@也有益于納米粒子的生成。

Pioneer PLD系統(tǒng)的激光束的入射角為45°,保持了激光密度在靶材上的***大均勻性,同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)部件。淺的入射角能夠拉長靶材上的激光斑點(diǎn),導(dǎo)致密度均勻性的損失。

為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體,消除擔(dān)心油的回流對(duì)薄膜質(zhì)量的影響,所有Pioneer系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置都采用無油泵系統(tǒng)。

所有的系統(tǒng)都可以按完整PLD實(shí)驗(yàn)室的方式獲得,包括248nm激光器,激光氣體柜,激光和光學(xué)器件臺(tái),光學(xué)器件包。

我們的研究表明靶和基片的距離是獲得***佳薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。Pioneer系統(tǒng)采用可變的靶和基片的距離,對(duì)沉積條件進(jìn)行***大的控制。


產(chǎn)品參數(shù)


 

 

Pioneer240

Pioneer180

Pioneer120

Pioneer80

最大wafer直徑

 

4”

2”

1”

0.5”

最大靶材數(shù)量

 

6個(gè)1” 或3個(gè)2”

6個(gè)1” 或3個(gè)2”

6個(gè)1” 或3個(gè)2”

4個(gè)1”

壓力(Torr)

 

<10-8

<10-6

<10-6

<10-6

真空室直徑

 

24”

18”

12” 

8”

基片加熱器

 

4”,旋轉(zhuǎn)

3”,旋轉(zhuǎn)

2”, 平板

1”,平板

最高樣品溫度

 

850 ° C

850 ° C

950 ° C

950 ° C

Turbo泵抽速

(liters/sec)

 

800

260

260

70

計(jì)算機(jī)控制

 

包括

包括

包括

包括

基片旋轉(zhuǎn)

 

包括

包括

-

-

基片預(yù)真空室

 

包括

選件

選件

-

掃描激光束系統(tǒng)

 

包括

選件

-

-

靶預(yù)真空室

 

包括

-

-

-

IBAD離子束輔助沉積

 

選件

選件

選件

-

CCS連續(xù)組成擴(kuò)展

 

選件

選件

-

-

高壓RHEED

 

選件

-

-

-

520 liters/sec 泵

 

a/n

選件

-

-



產(chǎn)品介紹

Ion Beam Assisted Deposition (離子輔助沉積)

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的***種重要技術(shù)

高性能的IBAD(離子輔助沉積)系統(tǒng)

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的***種重要技術(shù)。Neocera開發(fā)了離子輔助的PLD系統(tǒng),該系統(tǒng)將PLD在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與IBAD能力結(jié)合在***起。得到無人倫比的技術(shù)專***知識(shí)的支持Neocera離子輔助的PLD系統(tǒng)會(huì)得到重要應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)的支持。系統(tǒng)開發(fā)結(jié)合了Neocera的工程和工藝經(jīng)驗(yàn),保證了***大的用途和工藝性能。

利用離子輔助的PLD, Neocera在柔性多晶yttria穩(wěn)定的YSZ基片上,開發(fā)了具有下列性能的雙軸結(jié)構(gòu)的YBCO薄膜:

l        X-ray F-scan full width at half maximum of ~7°

l        轉(zhuǎn)變溫度Tc在88-89K,轉(zhuǎn)變寬度DTc約為約為0.5 K

l        77 K零場強(qiáng)時(shí),臨界電流密度Jc范圍; 1.5—2x106 A/cm2

l        77 K時(shí),磁深入深度l: 284nm

l        77 K,10G時(shí),表面電阻Rs等于700mW

 Continuous Composition Spread (連續(xù)組成擴(kuò)展)

***種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴(kuò)展(CCS)方法。

經(jīng)濟(jì)的組合合成

組合合成是材料科學(xué)中***激動(dòng)人心的***新進(jìn)展。在***次鍍膜實(shí)驗(yàn)中,生產(chǎn)多種不同材料組成的能力,大大的提高了獲得具有期望材料性能的***佳組成的速度。然而,現(xiàn)有組合合成系統(tǒng)的高成本對(duì)絕大多數(shù)研究預(yù)算來說都是不切合實(shí)際的。

得到Neocera PLD經(jīng)驗(yàn)的支持

Neoceora已經(jīng)應(yīng)用我們豐富的PLD和開發(fā)性能可靠的經(jīng)濟(jì)型設(shè)備的經(jīng)驗(yàn),發(fā)明了PLD-CCS(脈沖激光沉積-連續(xù)組成擴(kuò)展)系統(tǒng)。PLD-CCS受益于多層薄膜沉積的方便性和PLD工藝能在基片上改變二元,假二元,或三元體系的組成這***固有特性。

常規(guī)沉積條件下的組合合成

PLD-CCS能以連續(xù)的方式,而不是間隔的方式改變材料,沒有必要使用掩模。這就允許在每***次循環(huán)中,以小于***個(gè)單分子層的速率,快速連續(xù)沉積每***種組份,其結(jié)果是基本等同于共沉積法。事實(shí)上,該法無需在沉積后進(jìn)行退火促進(jìn)內(nèi)部擴(kuò)散或結(jié)晶,對(duì)于生長溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。

Laser MBE (激光分子束外延)

***種納米尺度薄膜合成的理想方法,PLD和原位高壓RHEED的結(jié)合,

為單分子水平上的薄膜生長提供了精確控制。

使用激光MBE是納米技術(shù)研究的理想工具

激光MBE是普遍采用的術(shù)語,定義了高真空下的PLD與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用。該法為用戶提供了類似于MBE的薄膜生長的單分子水平控制。隨著更多的PLD研究受到納米技術(shù)的驅(qū)動(dòng),激光MBE變得對(duì)用戶更加有益。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED和PLD的重要因數(shù)

RHEED通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下,PLD采用較高的壓力,差動(dòng)抽氣是必要的,維持RHEED槍的工作壓力,同時(shí)保持500 mTorr的PLD工藝壓力。同時(shí),設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。

Neocera的激光MBE系統(tǒng)為用戶在壓力達(dá)到500mTorr時(shí)所需的單分子層控制。 




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